О возможном вкладе процесса полевой ионизации
T6N4
О возможном вкладе процесса полевой ионизации
в механизм образования ионов красителей
в условиях лазерной десорбции/ионизации
с наноструктурированной поверхности графита
Вадим Семенович Шелковский1, Марина Вадимовна Косевич1,
Виталий Викторович Чаговец1, Олег Анатольевич Боряк1,
Вадим Владимирович Орлов1, Сергей Викторович Снегирь2,
Ирина Васильевна Шмиголь2, Валерий Александрович Покровский2
1 Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина
Национальной академии наук Украины, Украина, 61103, Харьков, пр. Ленина, 47,
E-mail: shelkovsky@ilt.kharkov.ua
2 Институт химии поверхности им. А.А. Чуйко Национальной академии наук Украины,
Украина, 03680, Киев, ул. Генерала Наумова, 17
Поступила в редакцию 22.04.2009 г.; после переработки — 17.08.2009 г.
Предложен подход к выделению вклада полевой ионизации (ПИ) в механизмы образования ионов красителей в условиях лазерной десорбции/ионизации (ЛДИ) с наноструктурированной поверхности графита. В качестве тестовой системы выбраны шероховатые слои графита, заведомо обеспечивающие реализацию ПИ в электрическом поле высокой напряженности, с нанесенными на них красителями — производными имидазофеназина, образующими три нейтральных прекурсора вследствие реакции восстановления и разные типы ионов при различных методах ионизации. Обнаружено, что в режиме положительных ионов при ЛДИ с шероховатой графитовой поверхности, образуемой исходной молекулой красителя и продуктами ее восстановления, распределение в группе пиков смещено на одну атомную единицу в область меньших масс в сравнении с распределением, регистрируемым при ЛДИ с гладкой металлической подложки. Анализ возможных путей ионообразования показал, что такое смещение может быть обусловлено суперпозицией ионов, образующихся по механизму ПИ на графитовом субстрате, с набором ионов, образующихся путем протонирования при ЛДИ вне зависимости от вида подложки. В режиме отрицательных ионов масс-спектры ЛДИ красителей удалось зарегистрировать только при использовании графитового субстрата, обеспечивающего реализацию отрицательной ПИ и усиленную полем эмиссию электронов.
